电力电子工程师们，是否正面临高频电路设计复杂与中低频系统能效瓶颈的双重挑战？
我们针对多样化应用场景提供精准解决方案：
✅ 高频应用：采用碳化硅（SiC）方案替代传统Si Mos器件，可简化电路拓扑结构，降低寄生参数干扰，让您的设计更简洁、更可靠。
✅ 中低频应用：相比62mm/34mm IGBT方案，SiC器件可提升5-10%系统效率，显著降低开关/导通损耗，为工业电源、光伏逆变器带来直接经济效益。
无论您需要高频优化的敏捷性，还是追求极致的能源转换效率，Leapers的 IGBT+SiC双轨技术矩阵 都能为您的下一代产品提供：
➠ 更低的系统总成本（TCO）
➠ 更紧凑的散热设计
➠ 面向未来的可持续能效升级
探索技术细节：
[62mm Module-Leapers 34mm Module-Leapers]
